[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202210117032.4 | 申请日： | 2022-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN114156180A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 胡钰祺 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述绝缘栅双极型晶体管的制造方法包括：提供一衬底，形成沟槽于所述衬底中；形成掺杂层于所述沟槽底部；执行退火工艺，使得所述掺杂层中的掺杂离子扩散进入所述衬底中，以形成包围所述沟槽底部的少子存储层；去除所述掺杂层；形成栅极结构于所述沟槽中；以及，形成体区于所述沟槽两侧的衬底顶部，所述体区与所述少子存储层之间间隔所述衬底。本发明的技术方案能够减小对阈值电压的影响且降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
