[发明专利]一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210116368.9 | 申请日： | 2022-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN114582973A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 杨林安;陈尧;胡啸林;岳航博;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、未掺杂InP副沟道、下delta‑doping层、未掺杂InGaAs沟道、未掺杂InAlAs隔离层、上delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n |
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| 搜索关键词： | 一种 平面 掺杂 磷化 铟基高 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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