[发明专利]基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202210115351.1 申请日: 2022-02-07
公开(公告)号: CN114156621B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 李晓宇;冯楠轩;王梦佳;彭根斋;兰洋;胡艺缤;张志红 申请(专利权)人: 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)
主分类号: H01P1/383 分类号: H01P1/383;H01P11/00
代理公司: 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 代理人: 黎仲
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法,属于微波元器件技术领域,包括硅主基片,在所述硅主基片下方设置有硅副基片,在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜;在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案,所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联;每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案,并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联;本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器,尺寸小至3×3mm,具有工艺成熟,速度快、成本低、效率高且一致性好等优点,适合大批量生产,同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸,为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。
搜索关键词: 基于 mems 技术 通讯 用集总 参数 环行器 及其 制作方法
【主权项】:
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