[发明专利]一种中频真空电弧弧后击穿机理的模拟计算方法和装置、电子设备在审
| 申请号： | 202210112274.4 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114492057A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 蒋原;李擎;苗磊;肖成勇;蔺凤琴;栗辉;崔家瑞;万春秋;杨旭;贾永楠;冯涛;王恒;李希胜 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/25;G06F111/08;G06F113/08 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种中频真空电弧弧后击穿机理的模拟计算方法和装置、电子设备，属于真空电弧弧后击穿机理分析技术领域，所述方法包括：计算金属液滴迁移过程中释放的金属蒸气的空间分布；根据金属蒸气的空间分布，对金属蒸气的密度和速度进行初始化，预设宏粒子；计算空间电荷及电流密度分布；依据所述空间电荷和电流密度分布，计算电势分布和电场分布，并更新宏粒子中正离子和电子的相空间位置；若未形成导电通道，判定是否达到最大迭代次数；若未达到最大迭代次数，返回执行计算空间电荷及电流密度分布的步骤；若已达到最大迭代次数或已形成导电通道，输出中频真空电弧弧后现象计算结果。通过本发明公开的方法，能够对中频真空电弧弧后击穿机理进行深入解析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中频 真空 电弧 击穿 机理 模拟 计算方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院，未经北京科技大学;北京科技大学顺德研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210112274.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：换流系统及其控制方法
- 下一篇：基于地理信息系统的数据处理方法、装置及设备
