[发明专利]一种硅片金属含量测试方法和设备在审
| 申请号： | 202210112253.2 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114459946A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 赵莉珍;程远梅;温涛 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N5/04 | 分类号： | G01N5/04;G01N27/626;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 顾春天 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片金属含量测试方法和设备。本发明实施例的硅片金属含量测试方法，包括以下步骤：获取目标硅片的第一重量，其中，所述目标硅片表面生长有多晶硅层；刻蚀所述目标硅片表面的多晶硅，并获取刻蚀后的所述目标硅片的第二重量；检测刻蚀后的所述目标硅片表面的金属离子含量；根据所述金属离子含量和所述目标硅片的刻蚀量确定所述目标硅片的金属离子状态，其中，所述刻蚀量是根据所述第一重量和所述第二重量确定的。本发明实施例能够确定目标硅片的金属离子状态，有助于提高对于目标硅片中金属含量和分布的检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 金属 含量 测试 方法 设备 | ||
【主权项】：
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