[发明专利]晶片浸泡式清洗装置和补液方法在审
| 申请号： | 202210104717.5 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114496857A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 奚达;郭志田;瞿治军;王泽飞;夏金伟 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种晶片浸泡式清洗装置和补液方法。其中装置包括：浸泡内槽、补液外槽和补液装置。方法包括：控制向补液外槽中输入清洗液，使得位于补液外槽中的清洗液的液面高度逐渐上升；当获取第一液面传感器发送的第一触发信号后，首次获得第二液面传感器发送的第二触发信号时；使得补液装置启动；当第二次获取第二液面传感器发送的第二触发信号时，确定浸泡内槽补液完全，且浸泡内槽充满后的清洗液溢流，使得补液外槽中的清洗液的液面上升至第二高度；当获取第三液面传感器发送的第三触发信号时，使得补液装置停止，使得排液阀打开；获得第二液面传感器发送的跃变信号，使得排液阀关闭，使得补液装置启动。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 浸泡 清洗 装置 补液 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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