[发明专利]SONOS器件的制造方法和SONOS器件在审
| 申请号： | 202210097239.X | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496798A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 初靖;蔡彬;黄冠群 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/11568;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SONOS器件的制造方法和SONOS器件，提供衬底，衬底上形成有依次彼此相邻的cell区、第一至第三器件区；在衬底上形成第二栅氧化层，第二栅氧化层包括由下而上堆叠的底部氧化层、氮化层和顶部氧化层；刻蚀去除cell区的第二栅氧化层，在衬底上淀积覆盖cell区和第二栅氧化层的第四栅氧化层；刻蚀去除第一器件区的第二栅氧化层和第四栅氧化层，之后形成覆盖第一器件区的第一栅氧化层；刻蚀去除第二器件区和第三器件区的顶部氧化层和氮化层；刻蚀去除第三器件区上的底部氧化层，之后在第三器件区上形成第三栅氧化层。本发明的SONOS器件中，在每个器件区的表面分别形成有不同的栅氧化层，实现了不同器件栅氧化层的共存，提升了器件的速度和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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