[发明专利]动态存储器及SOC芯片在审
| 申请号： | 202210094244.5 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN116234298A | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张筱宁;王存霞 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和设置在衬底上的多个存储单元，存储单元下层MOS管组件和上层MOS管组件，通过在下层MOS管组件中设置第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极电容可作为存储单元的存储电容，和只设置一个MOS管相比提高了存储容量。由于动态存储器的衬底材料是硅，因此动态存储器可以作为嵌入式存储器与SOC芯片、处理器芯片等制作在同一个硅晶圆上，通过使第一MOS管和第二MOS管共用源极，因此减少了第一MOS管和第二MOS管在衬底上所占的面积，结构布局更加紧凑，在将动态存储器制作在硅晶圆上时提高了硅晶圆的面积利用率，有利于器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 存储器 soc 芯片 | ||
【主权项】：
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