[发明专利]改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法在审
| 申请号： | 202210093835.0 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114429902A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张振兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善深硅刻蚀底部粗糙度的方法，提供衬底和刻蚀机，在衬底上形成光刻胶，光刻使得衬底需要刻蚀的部分裸露；刻蚀机的脉冲射频单元采用占空比大于80％的射频信号，并且将其下电极温度选择为小于十摄氏度；利用刻蚀机刻蚀裸露出的衬底，在衬底上形成侧壁带有弧度的沟槽；脉冲射频单元采用占空比为20％至70％的射频信号，之后利用钝化气体在沟槽的侧壁形成钝化层；其中沟槽的凹面到其侧壁的距离定义为粗糙度；多次刻蚀形成沟槽以及生成钝化层，将沟槽形成为深沟槽。本发明在刻蚀过程中，降低了刻蚀步骤对侧壁的破坏，提高钝化步骤对侧壁的保护，在保证底部深度刻蚀的同时，侧壁粗糙度维持在小于32nm的较好水平。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 刻蚀 底部 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
