[发明专利]太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片在审
| 申请号： | 202210086524.1 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114582724A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 杨大宝;邢东;刘波;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/683;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张一 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片，属于半导体技术领域，包括制备外延晶圆片；肖特基二极管基本结构制作；减薄外延晶圆片；在减薄后的外延晶圆片背面涂预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底；在低介电常数衬底的表面粘接临时保护性基板；去除外延晶圆片正面的临时性磨片基板；阳极阴极隔离腐蚀；一次固化低介电常数衬底；去除低介电常数衬底表面的临时保护性基板；二次固化所述低介电常数衬底，完成芯片的制作。本发明提供的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，直接能够制造小于10微米的异构衬底，无需对异构替换后的衬底做减薄处理，且直接涂胶固化形成衬底，制作容易，工艺参数易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 gaas 肖特基 二极管 芯片 衬底 替换 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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