[发明专利]太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法及异构芯片在审
| 申请号： | 202210086524.1 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114582724A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 杨大宝;邢东;刘波;赵向阳;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/683;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 张一 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 赫兹 gaas 肖特基 二极管 芯片 衬底 替换 方法 | ||
1.一种太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，包括：
制备外延晶圆片；
在所述外延晶圆片上制作肖特基接触作为阳极(8)，欧姆接触作为阴极(6)；
在所述外延晶圆片正面粘接临时性磨片基板(9)，以此作为临时性衬底，减薄所述外延晶圆片；
在减薄后的外延晶圆片背面涂敷预设厚度的低介质胶，形成低介电常数衬底(10)；
在所述低介电常数衬底(10)的表面粘接临时保护性基板(11)；
以所述临时保护性基板作为临时衬底，去除外延晶圆片正面的所述临时性磨片基板(9)；
阳极阴极隔离腐蚀；
一次固化所述低介电常数衬底(10)；
去除所述低介电常数衬底(10)表面的所述临时保护性基板(11)；
二次固化所述低介电常数衬底(10)，完成芯片的制作。
2.如权利要求1所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，所述低介质胶为SOG涂敷玻璃胶，或BCB胶，或聚烯亚胺胶。
3.如权利要求1所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，所述低介质胶的厚度根据胶的粘稠度并通过旋转的圈数确定，通过胶固化完成衬底替换。
4.如权利要求1或2所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，所述低介质胶的厚度为4-6微米。
5.如权利要求1所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，固化所述低介电常数衬底(10)，包括，将外延晶圆片放入氮气烘箱，固化t小时。
6.如权利要求5所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，所述一次固化的温度为250℃-300℃，固化时间t为1.5-3小时。
7.如权利要求5所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，所述二次固化的温度为300℃-350℃，固化时间t为1.5-3小时。
8.如权利要求1所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，采用低温粘片粘接所述临时性磨片基板(9)。
9.如权利要求1所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法，其特征在于，采用耐高温胶粘接所述临时保护性基板(11)。
10.一种异构芯片，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的太赫兹GaAs肖特基二极管芯片衬底替换方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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