[发明专利]一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法在审
| 申请号： | 202210086116.6 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114540945A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张翅腾飞;涂溶;罗国强;郑颖秋;杨刚;张联盟 | 申请（专利权）人： | 化学与精细化工广东省实验室潮州分中心 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/02;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 汕头市南粤专利商标事务所(特殊普通合伙) 44301 | 代理人： | 余飞峰 |
| 地址： | 521000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法，通过在铜箔表面进行掺杂元素沉积，在铜箔表面形成掺杂元素薄膜，经过高温退火后获得质地均匀的铜合金箔作为基板；使用常压化学气相沉积方法，将基板放入常压CVD生长炉中，随后通入保护气体，使常压CVD生长炉的反应区处于保护气氛中，对常压CVD生长炉进行升温，将反应区的温度提升到反应温度后，通入反应气体，使反应气体中C元素在基板上逐渐沉积生长，从而获得掺杂石墨烯。本发明的一种CVD石墨烯生长过程中的同步掺杂方法以铜箔和掺杂元素形成的合金箔作为基底生长石墨烯，实现在单晶石墨烯生长过程中的同步掺杂，获得晶格掺杂的单晶石墨烯，整体方法简单，控制方便，重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 石墨 生长 过程 中的 同步 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
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