[发明专利]半导体器件结构和滤波器在审

专利信息
申请号: 202210083664.3 申请日: 2022-01-21
公开(公告)号: CN114497369A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 丁焱昆;赖志国;杨清华 申请(专利权)人: 苏州汉天下电子有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02;H01L25/16;H05K1/18
代理公司: 北京希夷微知识产权代理事务所(普通合伙) 16079 代理人: 吴黎
地址: 215000 江苏省苏州工业园区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明实施例提供了一种半导体器件结构和滤波器,其中所述半导体器件结构包括:第一衬底,所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件;第二衬底,与所述第一衬底键合连接,所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有空腔,所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层,每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器,并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上,所述半导体器件与所述第一电感器电连接。
搜索关键词: 半导体器件 结构 滤波器
【主权项】:
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