[发明专利]半导体器件结构和滤波器

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件；

第二衬底，与所述第一衬底键合连接，所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有空腔，所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层，每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器，并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上，所述半导体器件与所述第一电感器电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一衬底朝向所述第二衬底的一侧形成有凹陷部，所述半导体器件形成在所述凹陷部内或所述第一衬底上；和/或

所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有凹陷部，所述第一电感层形成在所述凹陷部内或所述第二衬底上；和/或

所述第一衬底与所述第二衬底之间的键合层使得所述第一衬底与所述第二衬底之间形成所述空腔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二衬底内掺杂有金属元素。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二衬底内形成有至少一个导电通孔，所述导电通孔的一端与所述第一电感器电连接，所述导电通孔的另一端与外部电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一电感器为螺旋状导电线圈。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件结构，其特征在于，还包括：

至少一个第三衬底，最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底键合连接，且各个相邻的第三衬底之间键合连接，各个相邻的第三衬底之间以及最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底之间均形成有至少一层第二电感层，每层所述第二电感层中形成有至少一个第二电感器，并且最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底之间的第二电感器与所述第一电感器或者所述半导体器件电连接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，各个所述第三衬底内均形成有至少一个导电通孔，相邻的第三衬底之间的第二电感器的两端分别与相邻的第三衬底内的导电通孔电连接；或者

最靠近所述第二衬底的第三衬底与所述第二衬底之间的第二电感器的一端与所述第二衬底内的导电通孔电连接，另一端与最靠近所述第二衬底的第三衬底内的导电通孔电连接；或者

最远离所述第二衬底的第三衬底内的导电通孔的一端与内侧的第二电感器电连接，另一端与外部电连接。

8.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第二电感器为螺旋状导电线圈。

9.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于，至少一个所述第三衬底内掺杂有金属元素。

10.根据权利要求4或7所述的半导体器件结构，其特征在于，所述外部为印制电路板。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件为谐振器。

12.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的半导体器件结构。