[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202210082753.6 申请日: 2022-01-25
公开(公告)号: CN114124014B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳新声半导体有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H9/02
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 杜阳阳
地址: 518110 广东省深圳市龙华区民*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,薄膜体声波谐振器包括顶部金属电极、压电薄膜层、底部金属电极和衬底,顶部金属电极和底部金属电极分别在压电薄膜层的上下表面形成位置相对的第一声波能量泄漏抑制部和第二声波能量泄漏抑制部,并且,第一声波能量泄漏抑制部包括凹槽和/或凸起,对应的所述第二声波能量泄漏抑制部包括凸起和/或凹槽,这样可通过非平整性结构减少声波能量在垂直方向的泄露。同时,压电薄膜层在由顶部金属电极和底部金属电极所覆盖的区段内厚度一致,也即,压电薄膜层的上下表面在该区段内不同位置均保持平行且高度相同,以抑制电场的垂直分量,使得同频率的信号进行相干叠加,提高了薄膜体声波谐振器的Q值。
搜索关键词: 一种 薄膜 声波 谐振器 及其 制备 方法
【主权项】:
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