[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，由上到下依次包括顶部金属电极、压电薄膜层、底部金属电极和衬底；

所述底部金属电极设置在所述衬底上，所述衬底具有空气腔；

所述顶部金属电极在所述压电薄膜层的上表面形成第一声波能量泄漏抑制部，所述底部金属电极在所述压电薄膜层的下表面形成第二声波能量泄漏抑制部；其中，第一声波能量泄漏抑制部与第二声波能量泄漏抑制部的数量相同且位置相对；所述第一声波能量泄漏抑制部和所述第二声波能量泄漏抑制部均位于所述空气腔的上部；

所述第一声波能量泄漏抑制部包括凹槽和/或凸起，对应的所述第二声波能量泄漏抑制部包括凸起和/或凹槽，所述压电薄膜层在由顶部金属电极和底部金属电极所覆盖的区段内厚度一致；

所述顶部金属电极与所述压电薄膜层的上表面贴合，所述底部金属电极与所述压电薄膜层的下表面贴合；

所述第一声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的两个凹槽，所述第二声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的两个凸起；

或所述第一声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的凸起和凹槽，所述第二声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的凹槽和凸起；

或所述第一声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的凹槽和凸起，所述第二声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的凸起和凹槽；

或所述第一声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的两个凸起，所述第二声波能量泄漏抑制部包括沿延伸方向依次设置的两个凹槽。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述第一声波能量泄漏抑制部和所述第二声波能量泄漏抑制部的宽度分别为声波波长的整数倍。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述第一声波能量泄漏抑制部所包括的凹槽和/或凸起均为第一子抑制部，同理，所述第二声波能量泄漏抑制部所包括的凸起和/或凹槽均为第二子抑制部；其中：

第一子抑制部的宽度总和为声波波长的整数倍，第二子抑制部的宽度总和为声波波长的整数倍，并且，第一子抑制部之间的宽度比与第二子抑制部之间的宽度比相一致。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的两个凹槽的宽度比为1:2，所述第二声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的两个凸起的宽度比为1:2；

或所述第一声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的凸起和凹槽的宽度比为1:2，所述第二声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的凹槽和凸起的宽度比为1:2；

或所述第一声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的凹槽和凸起的宽度比为1:2，所述第二声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的凸起和凹槽的宽度比为1:2；

或所述第一声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的两个凸起的宽度比为1:2，所述第二声波能量泄漏抑制部中沿延伸方向依次设置的两个凹槽的宽度比为1:2。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，任一凹槽或凸起的截面形状为等腰梯形。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底材料为Si，所述底部金属电极的材料为Al、Cu、Au或Mo，所述压电薄膜层的材料为压电材料，所述顶部金属电极的材料为Al、Cu、Au或Mo。