[发明专利]一种高摆幅的增益自举反相器及其应用在审
| 申请号： | 202210071359.2 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114421952A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 李文昌;吴鸿昊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种高摆幅的增益自举反相器，包括：级联反相器包括：MOS器件M1、M2、M3及M4；第一折叠式共源共栅增益自举电路包括：MOS器件M5、M7、M9及M11；第二折叠式共源共栅增益自举电路，包括：MOS器件M6、M8、M10及M12；其中，第一折叠式共源共栅增益自举电路20与M3构成电流‑电压反馈环路，用于提高M3的输出阻抗；第二折叠式共源共栅增益自举电路30与M4构成电流‑电压反馈环路，用于提高M4的输出阻抗。本公开还提供了一种高摆幅的增益自举反相器在高精度低功耗sigma‑delta调制器、低电压低功耗运算放大器、可穿戴设备及RFID上的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高摆幅 增益 举反相器 及其 应用 | ||
【主权项】：
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