[发明专利]一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元在审
| 申请号： | 202210068744.1 | 申请日： | 2022-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN114496025A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵强;李正亚;高珊;郝礼才;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C8/14;G11C7/18;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;李闯 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元，包括4个NMOS晶体管和8个PMOS晶体管；内部存储节点I2和I3由P2和P3交叉耦合，外部存储节点I1和I4由N1和N2交叉耦合；P1和P4作为上拉管，P1和P4对I2和I3进行加固，I2和I3全部由PMOS晶体管包围，这构成了极性加固结构；I2通过P7连接到第BLB，I3通过P8连接到BL，I1通过N3连接到BL，I4通过N4连接到BLB，N3和N4由WL控制，P7和P8由WWL控制。本发明能够提高SRAM存储单元的抗单粒子翻转能力，而且可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅提高SRAM存储单元写速度，降低了SRAM存储单元的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 极性 加固 技术 12 辐照 sram 存储 单元 | ||
【主权项】：
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