[发明专利]包括排气结构的基板处理装置在审
申请号: | 202210062454.6 | 申请日: | 2022-01-19 |
公开(公告)号: | CN115799106A | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 李泽烨;李准桓;方万济 | 申请(专利权)人: | 得八益十意恩至 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D45/06 |
代理公司: | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 韩国忠清南道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及包括排气结构的基板处理装置,本发明具有如下的优点,即,包括:基板支撑装置,包括用于设置基板的旋转头部;流体供给单元,用于向上述基板供给流体;碗组装体,包括包围上述基板支撑装置并沿着半径方向外侧重叠配置的多个碗;升降单元,用于使上述碗组装体升降;以及腔室,用于收容上述基板支撑装置、流体供给单元、碗组装体及升降单元,在上述腔室分别设置用于从上述碗组装体的内部排气的多个工序排气部和用于从上述碗组装体的外部排气的环境排气部,可根据流入到上述碗组装体的处理液的种类单独排出液滴并聚集,因此,分离在处理液中产生的气体并进行后处理,由此大幅度节减费用。 | ||
搜索关键词: | 包括 排气 结构 处理 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于得八益十意恩至,未经得八益十意恩至许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210062454.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:刚度加强的车辆侧梁组件
- 下一篇:KRAS G12D抑制剂及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造