[发明专利]一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路在审
| 申请号： | 202210060943.8 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114421946A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 章涛;李继华;朱廷刚;范剑平 | 申请（专利权）人： | 科能芯（深圳）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/689 | 分类号： | H03K17/689 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王爱涛 |
| 地址： | 518129 广东省深圳市龙岗区坂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，包括驱动电路、耗尽型功率器件、第一P型MOSFET、供电电压检测电路、第二P型MOSFET、二极管、电容、电流隔离检测电路反向电流检测电路；电流隔离检测电路用于检测第一P型MOSFET的漏极处电流的流向以及正向电流的大小；反向电流检测电路用于根据第一P型MOSFET的漏极处电流的流向及正向电流的大小，控制驱动电路的输出。通过通过在第一P型MOSFET的漏极上串联电流隔离检测电路，并添加一个反向电流检测电路，降低了直驱电路的反向损耗，解决了反向导通压降的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 向导 通压降 耗尽 功率 器件 电路 | ||
【主权项】：
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