[发明专利]一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路

权利要求书

1.一种低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路包括：驱动电路、耗尽型功率器件、第一P型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、供电电压检测电路、第二P型MOSFET、二极管、电容、电流隔离检测电路及反向电流检测电路；

所述驱动电路的VCC端与供电电压连接；

所述耗尽型功率器件的栅极与所述驱动电路的输出端连接；

所述第一P型MOSFET的源极与所述耗尽型功率器件的源极连接；

所述供电电压检测电路的输入端与所述供电电压连接，所述供电电压检测电路的输出端与所述第一P型MOSFET的栅极连接；

所述第二P型MOSFET的漏极与供电电压连接，所述第二P型MOSFET的栅极连接至所述供电电压检测电路与所述第一P型MOSFET的栅极之间，所述第二P型MOSFET的源极连接至所述耗尽型功率器件的源极与所述第一P型MOSFET的源极之间；

所述二极管的正极连接至所述驱动电路的输出端与所述耗尽型功率器件的栅极之间，所述二极管的负极与所述第一P型MOSFET的漏极连接；

所述电容的一端与所述驱动电路的接地端连接，所述电容的另一端连接至所述耗尽型功率器件的源极与所述第一P型MOSFET的源极之间；

所述电流隔离检测电路的输入端与所述第一P型MOSFET的漏极串联，所述电流隔离检测电路用于检测第一P型MOSFETS的漏极处电流的流向以及正向电流的大小；

所述反向电流检测电路的一端与所述电流隔离检测电路的输出端连接，所述反向电流检测电路的另一端与所述驱动电路连接，所述反向电流检测电路用于根据第一P型MOSFET的漏极处电流的流向及正向电流的大小，控制所述驱动电路的输出。

2.根据权利要求1所述的低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述反向电流检测电路根据第一P型MOSFET的漏极处电流的流向及正向电流的大小，控制所述驱动电路的输出，具体包括：

在第一P型MOSFET的漏极处的电流从所述第一P型MOSFET的漏极流向所述耗尽型功率器件的源极时，所述反向电流检测电路产生开通信号，并发送至所述驱动电路，所述开通信号用于使所述驱动电路输出高电平；

在正向电流超过电流阈值时，所述反向电流检测电路产生限制信号，并发送至所述驱动电路，所述限制信号用于限制所述驱动电路的输出脉宽。

3.根据权利要求1所述的低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路还包括第一电阻；

所述第一电阻的一端连接至所述电容与所述耗尽型功率器件的源极之间，所述第一电阻的另一端连接至所述供电电压检测电路的输出端与所述第一P型MOSFET的栅极之间。

4.根据权利要求1所述的低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述供电电压检测电路包括：稳压二极管、第二电阻、第三电阻以及三极管；

所述稳压二极管的负极与所述供电电压连接；

所述第二电阻的一端与所述稳压二极管的正极连接，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端连接；

所述第三电阻的另一端接供电电压的地；

所述三极管的基极连接至所述第二电阻与所述第三电阻之间；所述三极管的集电极与所述第一P型MOSFET的栅极连接；所述三极管的发射极接供电电压的地。

5.根据权利要求1所述的低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述耗尽型功率器件为耗尽型氮化镓器件。

6.根据权利要求1所述的低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述耗尽型功率器件为耗尽型碳化硅器件。

7.根据权利要求1所述的低反向导通压降的耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述驱动电路、所述耗尽型功率器件、所述第一P型MOSFET、所述供电电压检测电路、所述第二P型MOSFET、所述二极管、所述电容、所述电流隔离检测电路、所述反向电流检测电路及所述第一电阻合封为一体。