[发明专利]一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210059843.3 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114388621A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 梁世维;王俊;杨余;俞恒裕;陈炳如;张锦奕 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 刘丹 |
| 地址： | 410006 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高抗辐射能力SiC MOSFET器件新结构，所述新型平面栅SiC MOSFET器件的元胞结构包括：漏极金属电极、N+型衬底和N‑漂移区；N‑漂移区(3)顶部设载流子存储层和P‑base区，载流子存储层一(4)中设P型阻挡区(6)和P+区(8)，载流子存储层二(41)位于P型阻挡区(6)与P+区(8)之间；P‑base区(5)内设N+区(7)和P+区(8)，N+区(7)和P+区(8)与源极金属电极(11)相连。本发明提高了SiC MOSFET器件的抗总剂量辐射(γ射线等)和抗单粒子辐射能力，可应用在航空航天等空间极端环境中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 能力 sic mosfet 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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