[发明专利]一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210057163.8 | 申请日： | 2022-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN114497117A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王中强;卞景垚;陶冶;徐海阳;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;G06N3/04;G06N3/063 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 王海波 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法，该堆叠忆阻器包括模拟型忆阻器和阈值型忆阻器，模拟型忆阻器包括顶电极Au、阻变层氧化钨(WO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 模拟 型阻变 阈值 堆叠 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
