[发明专利]一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：该堆叠忆阻器包括模拟型忆阻器和阈值型忆阻器，模拟型忆阻器包括顶电极Au、阻变层氧化钨(WO_X)薄膜及底电极W；阈值型忆阻器包括顶电级W、阻变层银掺杂卡胶(Ag:ι-car)薄膜及底电极Pt。

2.根据权利要求1所述的一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：所述模拟型忆阻器底电极W及阈值型忆阻器顶电极W为共同电极，该电极为惰性金属电极。

3.根据权利要求2所述的一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：所述模拟型忆阻器顶电极Au为惰性金属电极，为Au点电极，金属掩膜版孔径约为100～200μm，沉积电极厚度约为50～80nm。

4.根据权利要求2或3所述的一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：所述阈值型忆阻器底电极Pt为惰性金属电极，为Pt层，沉积电极厚度约为90～100nm。

5.根据权利要求4所述的一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：所述模拟型忆阻器阻变层氧化钨(WO_X)薄膜由磁控溅射生长，其厚度为80nm～100nm。

6.根据权利要求4所述的一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：所述阈值型忆阻器阻变层银掺杂卡胶(Ag:ι-car)薄膜由匀胶机旋涂方法制备，旋涂层数为5层，其厚度为80nm～100nm。

7.根据权利要求2或5所述的一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器，其特征是：所述阈值型忆阻器阻变层银掺杂卡胶(Ag:ι-car)薄膜由匀胶机旋涂方法制备，旋涂层数为5层，其厚度为80nm～100nm。

8.一种基于模拟型阻变和阈值型阻变的堆叠忆阻器的制备方法，包括如下步骤：

①利用磁控溅射的方法生长Pt，生长条件是1Pa压强，调节功率为100W，生长时间为20-25分钟，将Pt衬底依次用三氯乙烯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗8～15分钟，用氮气吹干；

②利用匀胶机旋涂制备卡拉胶掺银溶液(Ag:ι-car≈1:8)，旋涂条件是低速500转/分，10s；高速3000转/分，20s；

③磁控在旋涂后的器件上生长钨薄膜，生长气氛条件是1Pa的压强下，调节功率为100W溅射钨靶10min；

④磁控在钨薄膜的基底上生长氧化钨薄膜，生长条件是2Pa的压强下，通入比例为1:3的氩气和氧气，衬底温度为200℃，用100W的功率溅射氧化钨靶15-20分钟；

⑤在第④步制作的氧化钨薄膜蒸镀顶电极Au惰性金属电极，金属掩膜版孔径约为100～200μm，沉积电极厚度约为50～80nm。