[发明专利]一种UVB芯片的外延结构、UVB芯片在审
| 申请号： | 202210051322.3 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114068778A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄小辉;倪逸舟 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 霍苗 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市钱塘新*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及紫外发光二极管芯片技术领域，尤其涉及一种UVB芯片的外延结构、UVB芯片。本发明通过在高Al组分的Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 uvb 芯片 外延 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于至芯半导体（杭州）有限公司，未经至芯半导体（杭州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210051322.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
