[发明专利]一种光电探测器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210051043.7 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN114447150A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 尹睿;王冬贤;朱宝;沈晓良;张卫 申请(专利权)人: 上海集成电路制造创新中心有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0216;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y15/00
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种光电探测器及其制备方法,该方法包括:提供硅基底;在所述硅基底上制备非导电介质;在所述非导电介质的上表面依次设置石墨烯薄膜和金属电极,所述石墨烯薄膜具有缺口显露出所述非导电介质,所述金属电极位于所述缺口的两侧;在所述缺口内蒸镀金属钛薄膜,通过控制热处理温度,制备具有氧浓度梯度的钛氧化物薄膜。本发明通过通过在缺口内蒸镀金属钛薄膜,并且控制空气流速、氧化浓度和热处理温度,制备具有氧浓度梯度的钛氧化物薄膜,从而拓宽了宽谱吸收范围。由于蒸镀的金属薄膜具有与非导电介质良好的附着力,并且分布连续均匀,因此能够有效提高光电探测器的质量。
搜索关键词: 一种 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
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