[发明专利]一种光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202210051043.7 | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114447150A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 尹睿;王冬贤;朱宝;沈晓良;张卫 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0216;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种光电探测器及其制备方法,该方法包括:提供硅基底;在所述硅基底上制备非导电介质;在所述非导电介质的上表面依次设置石墨烯薄膜和金属电极,所述石墨烯薄膜具有缺口显露出所述非导电介质,所述金属电极位于所述缺口的两侧;在所述缺口内蒸镀金属钛薄膜,通过控制热处理温度,制备具有氧浓度梯度的钛氧化物薄膜。本发明通过通过在缺口内蒸镀金属钛薄膜,并且控制空气流速、氧化浓度和热处理温度,制备具有氧浓度梯度的钛氧化物薄膜,从而拓宽了宽谱吸收范围。由于蒸镀的金属薄膜具有与非导电介质良好的附着力,并且分布连续均匀,因此能够有效提高光电探测器的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的