[发明专利]一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构在审
| 申请号： | 202210042707.3 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114496032A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 彭春雨;徐鸿运;赵强;卢文娟;高珊;郝礼才;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;李闯 |
| 地址： | 230601 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构，包括RRAM1的底部电极与NMOS晶体管M1的漏极、NMOS晶体管M2的漏极电连接；M1的栅极与WLA电连接；M2的栅极与WLC电连接；NMOS晶体管M2的源极和NMOS晶体管M3的源极均与RRAM2的顶部电极电连接；NMOS晶体管M3的栅极与WLB电连接；RRAM3的底部电极与NMOS晶体管M4的漏极电连接；M4的栅极与WLS电连接；NMOS晶体管M1的源极、RRAM2的底部电极、NMOS晶体管M4的源极均与SL和电阻R1电连接，而电阻R1的另一端接地。本发明采用RRAM实现了在内存内计算中基本的逻辑运算，提高了电路的逻辑运算效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 阻变式 存储器 实现 高速 逻辑运算 t3r 电路 结构 | ||
【主权项】：
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