[发明专利]一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210039010.0 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114388700A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 坚佳莹;南亚新;董芃凡;龙伟;张曦;冯浩;坚增运 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京壹川鸣知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11765 | 代理人： | 贾彦虹 |
| 地址： | 710021 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器，它包括CVD单层TMDs薄膜以及覆盖在TMDs薄膜表面的g‑CNQDs，单层TMDs薄膜为二维材料，g‑CNQDs为零维材料，二者通过形成异质结，构建形成TMDs/g‑CNQDs异质结构的光电探测器；本发明还提供了上述g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，依次通过清洗、掺杂和干燥步骤制备而成，制备方法简单，过程易于控制，环境友好且性能优异，g‑CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器较未修饰之前不仅光谱响应范围得到了拓宽，光响应度也得到了较大的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 cnqds 修饰 cvd 单层 tmds 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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