[发明专利]一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器，其特征在于，包括CVD单层TMDs薄膜以及覆盖在TMDs薄膜表面的g-CNQDs，所述单层TMDs薄膜为二维材料，所述有机g-CNQDs为零维材料，二者通过形成异质结，构建形成TMDs/g-CNQDs异质结构的光电探测器。

2.如权利要求1所述的一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，按照如下的步骤顺序依次进行：

(1)清洗

将CVD单层TMDs光电探测器固定在旋涂机上，向其表面滴加0.2～1mL异丙醇，于转速为800～1500rpm下旋涂5～10s，得A；

(2)掺杂

取g-CNQDs分散液滴加在A表面，充分润湿后，以800～1500rpm的转速旋涂30～60s，使g-CNQDs均匀分散在TMDs薄膜表面，得B；

(3)干燥

将B置于真空烘箱中，在低真空环境下干燥，得g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器。

3.根据权利要求2所述的一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述g-CNQDs分散液是将g-CNQDs分散于异丙醇后形成的分散液，所述g-CNQDs分散液的浓度为1mg/80mL。

4.根据权利要求3所述的一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述g-CNQDs分散液中g-CNQDs的粒径尺寸为5～10nm。

5.根据权利要求2所述的一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，真空度低于100Pa。

6.根据权利要求2所述的一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述干燥温度为40～60℃，干燥时间为10-15min。

7.根据权利要求2-6中任意一项所述的一种有机g-CNQDs修饰CVD单层TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述CVD单层TMDs光电探测器为CVD单层MoS₂光电探测器时，g-CNQDs分散液旋涂取用量为100μL。