[发明专利]集成驱动电路的IGBT结构和智能功率模块在审
| 申请号： | 202210035065.4 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116487379A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 兰昊;苏宇泉 | 申请（专利权）人： | 美垦半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 吴婷 |
| 地址： | 400064 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种集成驱动电路的IGBT结构和智能功率模块，其中，集成驱动电路的IGBT结构包括衬底以及形成在衬底中的有源区和终端区，其中，终端区环绕有源区设置，且包括主结和多个场限环，多个场限环依次地同心环绕主结，驱动电路设置在主结中。由此，本发明的实施例能够节省IGBT结构上与驱动电路连接的栅极区域，减小集成芯片的面积和封装晶圆的数量，同时减少了连接线的数量及长度，提高了IGBT的封装效率，大幅度降低了驱动回路中的寄生电感，提高了IGBT的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 驱动 电路 igbt 结构 智能 功率 模块 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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