[发明专利]一种具有极化p型掺杂的[0001]晶向的铝镓氮场环终端的肖特基势垒二极管结构在审

专利信息
申请号: 202210034717.2 申请日: 2022-01-13
公开(公告)号: CN114373805A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 张紫辉;黄福平;楚春双;张勇辉 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L29/20;H01L29/06
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种具有极化p型掺杂的[0001]晶向的铝镓氮场环终端的肖特基势垒二极管结构。该器件结构沿外延生长方向依次包括:欧姆接触电极、N+衬底、N漂移层;N漂移层上分布有2~10个半径不同的同心Alx→0Ga1‑x→1N场环;最外侧Alx→0Ga1‑x→1N场环的內缘以及里侧Alx→0Ga1‑x→1N场环上覆盖有欧姆接触电极,欧姆接触电极上以及Alx→0Ga1‑x→1N场环之间的沟槽内为肖特基电极。本发明能够有效地提高器件击穿电压并且不会造成器件正向特性退化,制备方法操作性强,成本低,工艺简单可靠,适于工业上的推广使用。
搜索关键词: 一种 具有 极化 掺杂 0001 铝镓氮场环 终端 肖特基势垒二极管 结构
【主权项】:
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