[发明专利]一种高频硅基GaN单片集成PWM电路有效
| 申请号： | 202210033085.8 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114374376B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 周琦;党其亮;李明哲;杨文星;罗志华;邓超;张波;郭新凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H03K7/08 | 分类号： | H03K7/08 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频硅基GaN单片集成PWM电路，基于P‑GaN栅增强型GaN集成工艺平台下的E‑mode GaN晶体管、2DEG电阻和MIM电容进行三级比较器等结构设计，并以此为基础实现迟滞比较器、锯齿波电路和整体PWM电路的设计。本发明基于增强型GaN晶体管进行三级比较器电路拓扑设计优化反馈回路，从而实现高鲁棒性锯齿波电路设计；PWM单片集成电路同时集成反馈电阻以及GaN MIM电容，极大减小电路设计中的寄生效应，可更容易满足PWM模块方案的高频需求。该电路方案不仅更易实现GaN功率芯片单片集成，而且可避免D‑mode N型沟道晶体管存在的栅极长期可靠性等问题。本发明提出的高频硅基GaN单片集成PWM电路为未来实现更加紧凑的功率转换解决方案提供基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 gan 单片 集成 pwm 电路 | ||
【主权项】：
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