[发明专利]一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ-LIGBT器件

摘要

本发明涉及一种集成自偏置pMOS低关断损耗的SJ‑LIGBT器件，属于半导体技术领域。本发明：(1)自偏置pMOS包含P+漏极﹑N型区﹑P+源极﹑金属栅极与槽栅短接，无需额外栅信号控制。pMOS源极与LIGBT漂移区短接。(3)正向导通时，pMOS的栅源电压VGS,P随集电极电压变化，当VGS,PVTH,自偏置pMOS自动关断，当VGS,PVTH,自偏置pMOS自动开启，空穴通过pMOS抽取，降低了器件的饱和电流密度，增强了器件的短路安全工作特性；在关断时刻，器件满足VGS,PVTH,pMOS自动开启，空穴可以通过pMOS抽取，降低了关断损耗。