[发明专利]基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202210031829.2 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114068689B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 赵晓锦;陈俊锴;钟剑麟;许婷婷 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L23/00;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 涂年影 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法，新型熵源结构包括单晶硅衬底、设置于单晶硅衬底上侧的有源区及设置于有源区上侧的多晶硅，多晶硅覆盖有源区的部分形成沟道区，多晶硅由沟道区向外侧延伸的部分形成栅极外悬量；多晶硅两端的外悬量长度不相等,多晶硅外悬量较短的一端处的沟道区由于离子横向扩散而部分侵入形成漏电通道，且形成的漏电通道等效为并联在晶体管的源极和漏极之间的寄生电阻。上述新型熵源结构，多晶硅的外悬量的差异形成包含寄生电阻的熵源结构，寄生电阻的阻值呈随机分布，在电源电压及温度出现波动情况下熵源结构的电流具有较宽的分布及良好的分布均衡性，大幅提高了熵源结构的可靠性和随机性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 栅极 外悬量 调制 晶体管 新型 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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