[发明专利]基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构及其制造方法

权利要求书

1.一种基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述新型熵源结构包括单晶硅衬底、设置于所述单晶硅衬底上侧的有源区及设置于所述有源区上侧的多晶硅；

所述多晶硅覆盖所述有源区的部分形成沟道区，所述多晶硅由所述沟道区向外侧延伸的部分形成栅极外悬量；

所述多晶硅的两端分别外悬于所述沟道区且两端的长度不相等，所述多晶硅外悬量较短的一端处的沟道区进行离子注入的过程中离子由于横向扩散而部分侵入，从而在所述多晶硅外悬量较短的一端处的沟道区形成漏电通道，且形成的所述漏电通道等效为并联在所述晶体管的源极与漏极之间的寄生电阻。

2.根据权利要求1所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述多晶硅的长边方向与所述有源区的长边方向相垂直，且所述沟道区位于所述有源区的中段。

3.根据权利要求2所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述沟道区的沟道宽度为沟道长度的1-4倍。

4.根据权利要求2所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述有源区的长度为所述沟道区的沟道长度的5-10倍。

5.根据权利要求1所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述新型熵源结构采用特征尺寸为28-350nm的互补型金属氧化物半导体工艺制作得到。

6.根据权利要求5所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述多晶硅较长的一端的外悬长度为所述特征尺寸的1-3倍。

7.根据权利要求5所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述多晶硅较短的一端的外悬量为所述特征尺寸的0.1-2.5倍。

8.根据权利要求5所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述特征尺寸为180nm，所述多晶硅外悬较短的一端的栅极外悬量位于0-220nm之间。

9.根据权利要求5所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述特征尺寸为65nm，所述多晶硅外悬较短的一端的栅极外悬量位于0-140nm之间。

10.根据权利要求5所述的基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构，其特征在于，所述特征尺寸为40nm，所述多晶硅外悬较短的一端的栅极外悬量位于0-90nm之间。

11.一种基于栅极外悬量调制晶体管的新型熵源结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在单晶硅衬底上通过光刻得到有源区，有源区以外为场区；

在所述有源区上覆盖多晶硅薄膜并对所述多晶硅薄膜进行蚀刻得到多晶硅栅；

所述多晶硅栅覆盖所述有源区的部分形成沟道区；所述多晶硅的两端分别外悬于所述沟道区且两端的长度不相等；

对所述有源区进行离子注入，以使离子在所述多晶硅外悬量较短的一端由于横向扩散而部分侵入所述沟道区以形成漏电通道；所述漏电通道等效为并联在所述晶体管的源极与漏极之间的寄生电阻。