[发明专利]一种光电器件光控二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及纳米半导体材料光电探测器和光电存储器的研发与应用领域，具体为一种光电器件光控二极管及其制作方法。光控二极管是由六方氮化硼(h‑BN)保护层、石墨烯电极、二硫化钼(MoS2)n‑n‑结、h‑BN光栅层和栅极介质层组成。基于以MoS2n‑n‑结和h‑BN为光栅层异质结构的光控二极管，能够实现光照下电流状态由关态到整流态转换，因而在集成时不需要外部的选通器件。随着h‑BN光栅层厚度增加，光控二极管由单一功能的光电探测器变为多功能的光电存储器。基于光控二极管的光电存储器具备弱光探测、非易失性高响应度、长时间存储等功能；并且，制作了没有任何外部选择器的光电存储阵列，演示了图像存储和信息处理功能。