[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210026410.8 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114765213A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金兴振;菲尔·鲁特 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李彦伯;龙涛峰 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件、包括该半导体器件的汽车部件、形成该半导体器件的方法、以及制造该半导体器件的方法，该半导体器件包括：基板，其上布置有第一外延层和布置在第一外延层内的电压阻断元件；第二外延层，其布置在第一外延层上；以及竖直开关元件，其布置在第二外延层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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