[发明专利]用于提高氨热法氮化镓晶体生长速度的反应釜结构在审

专利信息
申请号: 202210026101.0 申请日: 2022-01-11
公开(公告)号: CN114438582A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 韩鹏飞;高冰;宋伯韬;于越;唐霞 申请(专利权)人: 武汉大学
主分类号: C30B7/10 分类号: C30B7/10;C30B28/04;C30B29/40
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 肖明洲
地址: 430072 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用于氨热法生长氮化镓晶体的反应釜结构,属于晶体生长中流场热场设计技术领域。本发明所涉及的结构,主要为多孔介质营养篮几何形状及籽晶上部增加的挡板。通过在多孔介质营养篮中心穿孔的方式,改善多孔介质内部流场,提高溶质传输效率;通过在籽晶上方增加一定开度的挡板,在籽晶表面区域形成漩涡回流,提高籽晶表面浓度与温度。本发明的结构形式,可以用于具有多孔介质结构的反应釜装置(主要包括水热法反应装置)。该装置可以显著提高反应釜内籽晶表面过饱和度,促进晶体生长。同时该结构具有形式简单,可操作性强的特点。
搜索关键词: 用于 提高 氨热法 氮化 晶体生长 速度 反应 结构
【主权项】:
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