[发明专利]闪存存储器的写入方法在审
| 申请号： | 202210023194.1 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114242143A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 沈安星;张有志;周至军 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 冯启正 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存存储器的写入方法，在对存储器进行写入时，通过在选中的位线上施加第一电压，并在非选中的位线上施加第二电压，所述第一电压为负电压，所述第二电压为正电压，所述第一电压与所述第二电压之间的差值为4.6V~4.7V，如此一来，在写入过程中，能够降低被选中的位线与非选中的位线之间的压差，从而能够减少或者避免写入过程中的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 写入 方法 | ||
【主权项】：
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