[发明专利]闪存存储器的写入方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的写入方法，所述闪存存储器包括至少两个扇区、多条位线以及多条源线，每个所述扇区包括多个存储单元，所述多个存储单元呈矩形阵列式排布，位于同一列的存储单元连接至同一条位线，位于同一行的存储单元连接至同一条源线，其特征在于，所述闪存存储器的写入方法包括：

从所述多个存储单元中选择同一条位线上的至少一个存储单元进行写入；

在选中的所述位线上施加第一电压，以及在非选中的位线上施加第二电压，以对选中的所述存储单元进行写入；其中，所述第一电压为负电压，所述第二电压为正电压，且所述第一电压与所述第二电压之间的差值为4.6V~4.7V。

2.如权利要求1所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，所述第一电压为（V_CC-5.3）V，所述第二电压为（V_CC-V_t）V，其中，V_CC=1V~2V，V_t=0.7V~0.8V。

3.如权利要求1所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，每个所述存储单元包括控制晶体管和选择晶体管；

所述控制晶体管包括浮栅、控制栅以及源极，所述浮栅形成于衬底上，所述控制栅覆盖所述浮栅，所述源极形成于所述控制栅远离所述选择晶体管一侧的衬底内；

所述选择晶体管包括伪栅、选择栅和漏极，所述伪栅形成于所述衬底上，所述选择栅覆盖所述伪栅，所述漏极形成于所述选择栅远离所述控制晶体管一侧的衬底内；

其中，所述选择栅和所述控制栅之间的衬底内形成有源漏结。

4.如权利要求3所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，位于同一行的所述控制晶体管的控制栅连接在一起，以及位于同一行的所述选择晶体管的选择栅连接在一起。

5.如权利要求3所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，位于同一行的所述控制晶体管的源极连接至同一条所述源线，以及位于同一列的所述选择晶体管的漏极连接至同一条所述位线。

6.如权利要求3所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，所述闪存存储器的写入方法还包括：

在对选中的所述存储单元进行写入时，在选中的存储单元的选择栅上施加第三电压，以及在与选中的存储单元位于同一扇区且不同行的非选中的存储单元的选择栅上施加所述第二电压，以及在与选中的存储单元位于不同扇区的非选中的存储单元的选择栅上施加所述第二电压，其中，所述第三电压为（V_CC-7.3）V。

7.如权利要求3所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，所述闪存存储器的写入方法还包括：

在对选中的所述存储单元进行写入时，还在选中的存储单元的控制栅上施加第四电压，并且在与选中的存储单元位于同一扇区的非选中的存储单元的控制栅上施加所述第四电压，以及在与选中的存储单元位于不同扇区的所有存储单元的控制栅上施加所述第二电压，其中，所述第四电压为（V_CC+8.8）V。

8.如权利要求1所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，在对选中的存储单元进行写入时，还在选中的存储单元的源线以及与选中的存储单元位于同一扇区的源线上施加所述第二电压，以及在与选中的存储单元位于不同扇区的源线上施加所述第二电压。

9.如权利要求2所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，所述闪存存储器还包括形成于所述衬底中的浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构位于所述选择栅底部的所述衬底中，并且所述浅沟槽隔离结构底部的所述衬底中形成有掺杂区。

10.如权利要求9所述的闪存存储器的写入方法，其特征在于，所述掺杂区中的掺杂离子为硼离子或者镓离子。