[发明专利]用于后照式图像传感器的激光退火方法在审
申请号: | 202210022068.4 | 申请日: | 2022-01-10 |
公开(公告)号: | CN114497098A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 宗立超;王星杰;顾培楼 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法,提供衬底,对衬底的背面减薄,再对衬底进行湿洗;在衬底的正面形成第一二氧化硅层;对衬底进行掺杂,在衬底的顶端生成掺杂层;采用高能激光对衬底进行退火,使得第一二氧化硅层转化为硅层。本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层,减少砷离子注入过程中的隧道效应;在激光退火过程中保护硅,防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融;二氧化硅有激光增透的作用,退火效果更好;二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅,无需湿法保护前表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 后照式 图像传感器 激光 退火 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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