[发明专利]用于后照式图像传感器的激光退火方法在审

专利信息
申请号: 202210022068.4 申请日: 2022-01-10
公开(公告)号: CN114497098A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 宗立超;王星杰;顾培楼 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 201203 上海市浦东新区中*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法,提供衬底,对衬底的背面减薄,再对衬底进行湿洗;在衬底的正面形成第一二氧化硅层;对衬底进行掺杂,在衬底的顶端生成掺杂层;采用高能激光对衬底进行退火,使得第一二氧化硅层转化为硅层。本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层,减少砷离子注入过程中的隧道效应;在激光退火过程中保护硅,防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融;二氧化硅有激光增透的作用,退火效果更好;二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅,无需湿法保护前表面。
搜索关键词: 用于 后照式 图像传感器 激光 退火 方法
【主权项】:
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