[发明专利]一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片在审
| 申请号： | 202210019260.8 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114038972A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;程金连;李永;胡家辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 刘红伟 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括：包括多量子阱层，多量子阱层是由量子阱层和量子垒层交替生长而成的周期性结构，量子阱层和量子垒层均为InGaN层；其中，量子垒层的In组分从量子垒层的一端向相对的另一端先逐渐减少再逐渐增加。本发明中InGaN量子垒与InGaN量子阱有更好的晶格匹配，减小了通入不同大小电流时产生的发光波长差。此外，采用In组分先渐变减小再渐变增加的量子垒层生长方法，使得量子垒在接近高In含量的量子阱层的区域的In含量较高，尽可能减小了阱垒接触面的晶格失配，并越靠近量子垒层中心，In组分越低，避免了量子垒层由于高In组分引入过多缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 芯片 | ||
【主权项】：
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