[发明专利]一种控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺在审
| 申请号： | 202210018051.1 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114351250A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 杨秀凡;张殿喜;郭中正;窦忠宇;闫万珺 | 申请（专利权）人： | 安顺学院 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 贵阳索易时代知识产权代理事务所(普通合伙) 52117 | 代理人： | 吕景新 |
| 地址： | 561000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅技术领域，尤其是一种控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，该晶体长晶段工艺为7段，即G1—G7。其中，G1‑G2为晶体生长初期，为给硅熔体提供形核驱动动力，G3—G5为晶体生长中期，G6‑G7为晶体生长后期，利用该工艺进行铸锭可降低晶体结晶学缺陷，降低杂质，提高晶体少数载流子寿命等电学性能，提高晶体质量，促进企业降本增效，促进光伏太阳能的发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 生长 速率 提高 铸锭 多晶 晶体 质量 工艺 | ||
【主权项】：
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