[发明专利]一种控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺在审
| 申请号： | 202210018051.1 | 申请日： | 2022-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN114351250A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 杨秀凡;张殿喜;郭中正;窦忠宇;闫万珺 | 申请（专利权）人： | 安顺学院 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 贵阳索易时代知识产权代理事务所(普通合伙) 52117 | 代理人： | 吕景新 |
| 地址： | 561000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 生长 速率 提高 铸锭 多晶 晶体 质量 工艺 | ||
1.一种控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，步骤如下：
G1.将细化的硅料放置到坩埚内，把坩埚转移到多晶铸锭生长炉中，先将炉内抽至真空，通过检漏之后加热，通入炉体气体，控制生长温度为1430-1435℃，加热器功率62-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度7-12cm；
G2.控制生长温度为1433-1435℃，加热器功率64-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度7-12cm；
G3.控制生长温度为1425-1430℃，加热器功率62-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度8-16cm；
G4.控制生长温度为1428-1430℃，加热器功率62-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度8-16cm；
G5.控制生长温度为1425-1430℃，加热器功率63-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度8-16cm；
G6.控制生长温度为1415-1420℃，加热器功率64-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度8-17cm；
G7.控制生长温度为1418-1420℃，加热器功率64-65kw，炉体压力600mbar，隔热笼高度8-17cm，退火冷却出炉。
2.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，G1中，所述炉体气体为氩气。
3.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G1中晶体生长速率为0.3-0.5cm/h。
4.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G2中晶体生长速率为0.5-1cm/h。
5.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G3中晶体生长速率为1.3-1.5cm/h。
6.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G4中晶体生长速率为1.2-1.4cm/h。
7.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G5中晶体生长速率为0.9-1.2cm/h。
8.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G6中晶体生长速率为0.7-1cm/h。
9.如权利要求1所述控制生长速率提高铸锭多晶硅晶体质量的工艺，其特征在于，所述G7中晶体生长速率为0.4-0.6cm/h。
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