[发明专利]一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210013572.8 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114446892A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 武玫;牛雪锐;侯斌;杨凌;张濛;朱青;王冲;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/8252 | 分类号： | H01L21/8252;H01L27/092 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王萌 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法，通过在Si衬底上外延生长GaN缓冲层以及p‑GaN/AlGaN/GaN异质结，通过光刻选区刻蚀固定区域的p‑GaN层，随即将p‑GaN刻蚀凹槽区用绝缘介质填充。完成上述处理后，将绝缘介质使用化学机械抛光后，键合在Si(100)衬底。反转外延层，在留有p‑GaN层的区域上制备n沟道器件，并使栅区域和p‑GaN区域对齐。同时制备p沟道器件，最后将n沟道器件和p沟道器件的漏电极互联，实现CMOS器件。与传统的Ga面p沟道器件制备工艺相比，本发明能够使p沟道器件有较高的空穴迁移率，制备的CMOS结构的特性更优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan cmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
