[发明专利]一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法在审
| 申请号： | 202210011756.0 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114371381A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 金明星 | 申请（专利权）人： | 北一半导体科技（广东）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 涂凤琴 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坪山街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体模块焊层寿命失效的测试方法，包括：根据待测半导体模块的规格确定参考温度数据；所述参考温度数据是同规格的半导体模块所对应的温度标定数据；获取待测半导体模块的初始温度数据；所述初始温度数据是待测半导体模块在全新状态下进行温度测试的数据；对待测半导体模块进行温度测试，获取当前温度数据；根据初始温度数据、当前温度数据和参考温度数据，判断待测半导体模块的焊层寿命是否失效。本申请的测试方法在完整功率模块上进行，不需要将待测半导体模块从功率模块中拆下，省时省力；也不会发生由于拆解及安装导致的模块及其它部件损坏；本方案不需要热阻、超声波扫描等相关设备投入，降低测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 模块 寿命 失效 测试 方法 | ||
【主权项】：
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