[发明专利]一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法有效
| 申请号： | 202210011592.1 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114280829B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吴昊;李宗泰;杨佐东 | 申请（专利权）人： | 重庆臻宝实业有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 郭泽培 |
| 地址： | 401326 重庆市九*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种下部电极1Pitch Emboss的形成方法，属于液晶面板加工技术领域，首先将带孔的掩膜板与下部电极表面贴合，通过在掩膜板表面进行熔射喷涂后透过孔在下部电极表面形成Emboss，所述Emboss的间隔和位置与孔的间隔和位置一一对应；其中所述掩膜板由若干矩形的分膜板拼接而成，在其中一些分膜板的侧面分别设置有凸起和凹槽，所述凸起的形状与所述凹槽的形状对应，相邻两块掩膜板之间通过所述凸起和凹槽进行凹凸配合。本发明方法通过在接触的掩膜板之间通过凸凹镶嵌进行拼接，相比直线切割后直接拼接的方式，孔距更加精准，减少了人工对位误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 下部 电极 pitch emboss 形成 方法 | ||
【主权项】：
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