[发明专利]用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读在审
| 申请号： | 202210010554.4 | 申请日： | 2022-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN114783495A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 李延纯;N·加杰拉;K·萨尔帕特瓦里 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供与用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读相关的系统、方法和设备。在一种方法中，存储器装置具有包含存储器单元的存储器阵列。在对存储器单元执行写入操作前，存储器装置的控制器向存储器单元施加多个预读电压。控制器施加第一预读电压，以确定存储器单元中的哪些具有超过阈值的感测电流。响应于确定超过阈值的存储器单元的百分比太低(如低于固定极限)，控制器确定向存储器单元施加第二预读电压。第二预读电压的量值大于第一预读电压的量值，并且可施加第二预读电压以确保在适当地确定存储器单元的现有编程状态方面具有更高的可靠性。然后，控制器基于每个存储器单元的目标逻辑状态和待由控制器使用的编程模式来适当地向存储器单元施加写入电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 装置 中的 写入 操作 阶跃 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210010554.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
