[发明专利]用于存储器装置中的写入操作的多阶跃预读

权利要求书

1.一种系统，其包括：

存储器阵列，所述存储器阵列包含存储器单元；以及

控制器，所述控制器被配置成：

向所述存储器单元施加第一预读电压；

感测每个存储器单元的由施加所述第一预读电压产生的相应第一电流；

确定所述存储器单元的第一部分以及所述存储器单元的第二部分，对于所述第一部分，所述相应第一电流超过第一阈值，对于所述第二部分，所述相应第一电流不超过所述第一阈值；

确定所述存储器单元的所述第一部分小于阈值数量；并且

响应于确定所述存储器单元的所述第一部分小于所述阈值数量：

向所述存储器单元的所述第二部分施加第二预读电压，其中所述第二预读电压的量值大于所述第一预读电压的量值；

感测所述第二部分中的每个存储器单元的由施加所述第二预读电压产生的相应第二电流；并且

确定所述存储器单元的第三部分，对于所述第三部分，所述相应第二电流超过第二阈值。

2.根据权利要求1所述的系统，其中每个存储器单元包括硫族化物。

3.根据权利要求2所述的系统，其中每个存储器单元进一步包括位于所述硫族化物上方的顶部碳电极和位于所述硫族化物下方的底部碳电极。

4.根据权利要求1所述的系统，其中作为编程操作的一部分，向所述存储器单元施加所述第一预读电压，并且所述编程操作是响应于从主机装置接收到写入命令而执行的。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被进一步配置成向所述存储器单元的第四部分施加写入电压，其中当将所述存储器单元编程为第一逻辑状态时，所述写入电压具有第一极性，并且当将所述存储器单元编程为第二逻辑状态时，所述写入电压具有相反的第二极性。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器被进一步配置成在施加所述写入电压之后，使用读取电压来对所述存储器单元的所述第四部分进行读取，其中所述读取电压具有与所述第一预读电压和所述第二预读电压相反的极性。

7.根据权利要求5所述的系统，其中所述第四部分包含来自所述第一部分或所述第二部分中的至少一个的存储器单元。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述第三部分中的存储器单元的现有编程状态是第一逻辑状态，并且所述第三部分中的所述存储器单元的至少一部分的目标编程状态是第二逻辑状态。

9.根据权利要求1所述的系统，其中：

对于所述存储器单元的第四部分中的每个存储器单元，现有逻辑状态和由主机装置请求的目标逻辑状态相等；并且

所述控制器被进一步配置成响应于确定所述存储器单元的所述第一部分小于所述阈值数量而向所述第四部分中的每个存储器单元施加写入电压，其中所述所施加的写入电压对应于所述存储器单元的所述目标逻辑状态。

10.一种方法，其包括：

向存储器阵列的存储器单元施加第一读取电压；

感测每个存储器单元的由施加所述第一读取电压产生的相应第一电流；

确定所述存储器单元的第一部分以及所述存储器单元的第二部分，对于所述第一部分，所述相应第一电流超过第一阈值，对于所述第二部分，所述相应第一电流不超过所述第一阈值；

确定所述存储器单元的所述第一部分是否小于阈值数量；以及

响应于确定所述存储器单元的所述第一部分小于所述阈值数量：

向所述存储器单元的所述第二部分施加第二读取电压，其中所述第二读取电压的量值大于所述第一读取电压的量值；

感测所述第二部分中的每个存储器单元的由施加所述第二读取电压产生的相应第二电流；并且

确定所述存储器单元的第三部分，对于所述第三部分，所述相应第二电流超过第二阈值。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述阈值数量是所述存储器单元的总数的百分之五。