[发明专利]可变电阻式存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202210008310.2 | 申请日： | 2022-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN116456725A | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘奇青;黄智超;蔡世宁 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H01L23/528;H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨丹;沈珍珠 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种可变电阻式存储器及其制造方法，其中该可变电阻式存储器包括：导线结构，分别设置于可变电阻式存储器的阵列区及周边电路区；以及存储器单元，设置于位于阵列区的导线结构上，且存储器单元包括：下电极，设置于导线结构上；电阻转态层，设置于下电极上；以及上电极，设置于电阻转态层上，其中导线结构的上表面与存储器单元的下电极直接接触。导线结构不通过导孔而直接与存储器单元接触，借此可以降低可变电阻式存储器内的串联电阻。如此一来，由于可以对所形成的可变电阻式存储器进行良好的成形操作，可以确保所形成的可变电阻式存储器具有改善的良率及效能。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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